GEP-S 系列高純鍺探測(cè)器

完整的高純鍺探測(cè)器的制造過程包括晶體制備、探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、高性能低噪聲前置放大器設(shè)計(jì)、超高真空封裝與生產(chǎn)成型、指標(biāo)測(cè)試和穩(wěn)定性考核等。經(jīng)國家計(jì)量部門檢定， 其關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異、穩(wěn)定性良好。

采用的晶體外形為一圓柱體，在其外表面為 N+電極，在其內(nèi)部電極孔內(nèi)部為 P+電極，兩種電極分別使用成熟的鋰擴(kuò)散、硼離子注入技術(shù)制造。威視®系列高性能 P 型同軸高純鍺探測(cè)器的 N+電極約為 0.5mm 厚，P+電極約為 0.5μm 厚。

工作機(jī)理：高純鍺晶體的雜質(zhì)濃度低至 10¹⁰ 原子/cm³ 量級(jí)，是純凈的物質(zhì)。高純鍺探測(cè)器表面分別有 N+、P+電極，在該兩種電極上加反向偏壓后，由于高純鍺晶體極低的雜質(zhì)濃度，其內(nèi)部將工作在全耗盡狀態(tài)，此時(shí)伽馬射線在其內(nèi)部沉積能量產(chǎn)生的載流子在電場(chǎng)的作用下被收集，形成的電流信號(hào)通過前置放大器被轉(zhuǎn)換為與沉積能量成正比的電壓信號(hào)。

探測(cè)器的前置放大器可根據(jù)用戶需求選用阻容反饋或脈沖反饋前放，性能優(yōu)異，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，除適配威視®系列數(shù)字譜儀外，還可兼容市場(chǎng)上主流的譜儀產(chǎn)品。

威視®系列高性能 P 型優(yōu)化高純鍺探測(cè)器配置垂直冷指，并可根據(jù)用戶需要配置“L 形"、“U 形"、水平冷指等定制化設(shè)計(jì)，同時(shí)為用戶在探測(cè)器封裝與冷指材料上提供超低本底選項(xiàng)。為保證制冷效率，探測(cè)器艙室應(yīng)保持嚴(yán)密的真空條件。

P 型探測(cè)器的總體特性：

能量響應(yīng)范圍：30keV 至 10MeV；相對(duì)探測(cè)效率 10% 至 80%；

可滿足絕大部分樣品測(cè)量應(yīng)用和大部分研究測(cè)量應(yīng)用的要求；

全面保證相對(duì)效率、分辨率、峰康比和峰形指標(biāo)；

可配置普通阻抗反饋前放或適于高計(jì)數(shù)率的脈沖光反饋前放。

GEP-S 系列高純鍺探測(cè)器 型號(hào)與性能指標(biāo)：

GEP-S40 的點(diǎn)源探測(cè)效率曲線（根據(jù) GB/T 7167-2008 國家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試）